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半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法

基础信息

标准号:SJ/T 11586-2016

发布日期:2016-01-15

实施日期:2016-06-01

制修订:制定

中国标准分类号:L40

国际标准分类号:31.080.01

技术归口:工业和信息化部电子工业标准化研究院

批准发布部门:工业和信息化部

行业分类:无

标准类别:方法标准

备案信息

备案号:54885-2016

备案日期:2016-06-22

备案公告:2016年第7号(总第199号)

起草单位

工业和信息化部电子第五研究所

起草人

罗宏伟、何玉娟、恩云飞 等