基础信息

标准号：GB/T 4023-2015发布日期：2015-12-31实施日期：2017-01-01全部代替标准：GB/T 4023-1997标准类别：基础中国标准分类号：K46国际标准分类号：31.080.10 归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会执行单位：全国半导体器件标准化技术委员会半导体分立器件分会主管部门：工业和信息化部（电子）

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 60747-2:2000。采标中文名称:半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管。

起草单位

西安电力电子技术研究所湖北台基半导体股份有限公司浙江硅都电力电子有限公司国营第八七三厂株洲南车时代电气股份有限公司电力电子事业部

起草人

秦贤满邹盛琳沈首良颜家圣刘国友

相近标准(计划)

20232773-T-339 半导体分立器件 第2部分：整流二极管GB/T 17573-1998 半导体器件分立器件和集成电路第1部分:总则20201543-T-339 半导体器件分立器件第15部分：绝缘功率半导体器件GB/T 15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件GB/T 6351-1998 半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一篇100A以下环境或管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范GB/T 4589.1-2006 半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范20242947-T-339 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管GB/T 15651.2-2003 半导体分立器件和集成电路第5-2部分:光电子器件基本额定值和特性SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范GB/T 20516-2006 半导体器件分立器件第4部分：微波器件