基础信息

标准号：GB/T 43313-2023发布日期：2023-11-27实施日期：2024-06-01标准类别：方法中国标准分类号：H21国际标准分类号：77.040 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门：国家标准委

起草单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所常州臻晶半导体有限公司厦门坤锦电子科技有限公司广东天域半导体股份有限公司中国科学院半导体研究所浙江东尼电子股份有限公司山东天岳先进科技股份有限公司湖州东尼半导体科技有限公司中国电子科技集团公司第十三研究所有色金属技术经济研究院有限责任公司ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司

起草人

姚康刘立娜马春喜高飞郑红军房玉龙刘薇李嘉炜杨玉聪黄树福何烜坤李素青张红岩陆敏芦伟立丁雄杰晏阳钮应喜

相近标准(计划)

20231108-T-469 碳化硅单晶片微管密度测试方法SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法GB/T 31351-2014 碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法20240136-T-469 金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法20240494-T-469 碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法20250822-T-469 200mm碳化硅单晶抛光片SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法SJ/T 11489-2015 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法