第三方检测中心

第三方检测中心

硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

基础信息

标准号:GB/T 1553-2009发布日期:2009-10-30实施日期:2010-06-01废止日期:2024-03-01全部代替标准:GB/T 1553-1997标准类别:方法中国标准分类号:H80国际标准分类号:29.045 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门:国家标准委

起草单位

峨嵋半导体材料厂

起草人

江莉杨旭

相近标准(计划)

GB/T 1553-2023 硅和锗体内少数载流子寿命的测定光电导衰减法GB/T 26068-2018 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试非接触微波反射光电导衰减法DB65/T 3485-2013 太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法GB/T 42907-2023 硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的测试 非接触涡流感应法20233724-T-606 气体分析 气体中微量水分的测定第3部分:光腔衰荡光谱法20250731-T-469 碳化硅外延层载流子寿命的测试 瞬态吸收法YS/T 679-2018 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试表面光电压法YS/T 679-2008 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法GB/T 38386-2019 气体分析气体中氮氧化物的测定光腔衰荡光谱法GB/T 37412-2019 激光器和激光相关设备 光腔衰荡高反射率测量方法