基础信息

标准号：GB/T 4937.18-2018发布日期：2018-09-17实施日期：2019-01-01标准类别：方法中国标准分类号：L40国际标准分类号：31.080.01 归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会执行单位：全国半导体器件标准化技术委员会主管部门：工业和信息化部（电子）

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 60749-18:2002。采标中文名称:半导体器件 机械和气候试验方法 第18部分:电离辐照(总剂量)。

起草单位

中国电子科技集团公司第十三研究所西北核技术研究所中国科学院新疆理化技术研究所

起草人

席善斌彭浩陈伟林东生崔波陈海蓉郭旗陆妩何宝平金晓明

相近标准(计划)

SJ/T 11586-2016 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法20201546-T-339 半导体器件 机械与气候试验方法 第44部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验方法20201540-T-339 半导体器件机械和气候试验方法第10部分：机械冲击GB/T 4937.17-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第17部分：中子辐照20193134-T-339 半导体器件 机械和气候试验方法 第8部分：密封20201547-T-339 半导体器件 机械和气候试验方法 第29部分：闩锁试验20141818-T-339 半导体器件 机械和气候试验方法 第25部分:温度循环20231752-T-339 半导体器件 机械和气候试验方法 第9部分：标志耐久性20201539-T-339 半导体器件 机械和气候试验方法 第38部分：带存储的半导体器件的软错误试验方法20201541-T-339 半导体器件 机械和气候试验方法 第36部分：稳态加速度