基础信息
标准号:GB/T 6617-2009发布日期:2009-10-30实施日期:2010-06-01全部代替标准:GB/T 6617-1995标准类别:方法中国标准分类号:H80国际标准分类号:29.045 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门:国家标准委
起草单位
南京国盛电子有限公司宁波立立电子股份有限公司
起草人
马林宝骆红吕立平刘培东谭卫东
相近标准(计划)
20233945-T-610 硅片径向电阻率变化测量方法GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法YS/T 602-2007 区熔锗锭电阻率测试方法 两探针法YS/T 602-2017 区熔锗锭电阻率测试方法 两探针法SJ/T 11627-2016 太阳能电池用硅片电阻率在线测试方法GB/T 39978-2021 纳米技术 碳纳米管粉体电阻率 四探针法DB13/T 5026.3-2019 石墨烯导电浆料物理性质的测定方法第3部分:浆料极片电阻率的测定四探针法GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法20240965-T-606 乙炔炭黑 第9部分 电阻率的测定YB/T 6166-2024 石墨烯薄膜 方块电阻的测定 四探针法