基础信息

标准号：GB/T 6219-1998发布日期：1998-11-17实施日期：1999-06-01全部代替标准：GB 6219-1986标准类别：产品中国标准分类号：L42国际标准分类号：31.080.30 归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会执行单位：全国半导体器件标准化技术委员会主管部门：工业和信息化部（电子）

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 747-8-1:1987 QC 750112。采标中文名称:。

起草单位

电子工业部标准化研究所

相近标准(计划)

SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范20242947-T-339 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管GB/T 21039.1-2007 半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管微波场效应晶体管空白详细规范GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管GB/T 6352-1998 半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第一篇100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范GB/T 6217-1998 半导体器件分立器件第7部分:双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范GB/T 6351-1998 半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一篇100A以下环境或管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范20233685-T-339 半导体器件集成电路 第3部分：模拟集成电路 第一篇：单片集成运算放大器空白详细规范GB/T 6590-1998 半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第二篇100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范20233716-T-339 半导体分立器件 小功率双极型晶体管空白详细规范