基础信息

标准号：GB/T 6590-1998发布日期：1998-11-17实施日期：1999-06-01全部代替标准：GB 6590-1986标准类别：产品中国标准分类号：L43国际标准分类号：31.080.20 归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会执行单位：全国半导体器件标准化技术委员会主管部门：工业和信息化部（电子）

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 747-6-2:1991 QC 750111。采标中文名称:。

起草单位

电子工业部标准化研究所

相近标准(计划)

GB/T 6352-1998 半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第一篇100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范GB/T 13150-2005 半导体器件分立器件电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范GB/T 13151-2005 半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第3篇电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范GB/T 7576-1998 半导体器件分立器件第7部分:双极型晶体管第四篇高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范GB/T 6351-1998 半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一篇100A以下环境或管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范GB/T 6217-1998 半导体器件分立器件第7部分:双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范20233716-T-339 半导体分立器件 小功率双极型晶体管空白详细规范20233689-T-339 半导体分立器件 大功率双极型晶体管空白详细规范GB/T 6219-1998 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管第一篇1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范20242947-T-339 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管