第三方检测中心

第三方检测中心

硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法

基础信息

标准号:GB/T 14146-1993发布日期:1993-02-06实施日期:1993-10-01废止日期:2010-06-01标准类别:方法中国标准分类号:H21归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门:国家标准委

采标情况

本标准非等效采用ITU国际标准:DIN 50439:1982。采标中文名称:。

起草单位

上海市有色金属总公司

相近标准(计划)

GB/T 14146-2021 硅外延层载流子浓度的测试电容-电压法GB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法SJ/T 10481-1994 硅外延层电阻率的面接触三探针方法GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法YS/T 23-2016 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法YS/T 23-1992 硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法YS/T 15-2015 硅外延层和扩散层厚度测定 磨角染色法YS/T 15-1991 硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法20250731-T-469 碳化硅外延层载流子寿命的测试 瞬态吸收法YS/T 14-2015 异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法