基础信息

标准号：GB/T 6616-2009发布日期：2009-10-30实施日期：2010-06-01废止日期：2024-03-01全部代替标准：GB/T 6616-1995标准类别：方法中国标准分类号：H80国际标准分类号：29.045 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门：国家标准委

采标情况

本标准修改采用其他国际标准：SEMI MF673-1105。采标中文名称:用非接触涡流法测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。

起草单位

万向硅峰电子股份有限公司

起草人

楼春兰朱兴萍戴文仙方强汪新平

相近标准(计划)

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