基础信息
标准号:GB/T 6616-2023发布日期:2023-08-06实施日期:2024-03-01全部代替标准:GB/T 6616-2009标准类别:方法中国标准分类号:H21国际标准分类号:77.040 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门:国家标准委
起草单位
中国电子科技集团公司第四十六研究所浙江金瑞泓科技股份有限公司广东天域半导体股份有限公司山东有研半导体材料有限公司北京天科合达半导体股份有限公司浙江旭盛电子有限公司昆山海菲曼科技集团有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司浙江海纳半导体股份有限公司北京通美晶体技术股份有限公司天津中环领先材料技术有限公司中电晶华(天津)半导体材料有限公司浙江中晶科技股份有限公司
起草人
何烜坤刘立娜马春喜张海英任殿胜王元立佘宗静齐斐詹玉峰黄笑容李素青张颖潘金平丁雄杰朱晓彤张雪囡许蓉李明达边仿
相近标准(计划)
20230662-T-339 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第6部分:柔性导电薄膜的薄层电阻测试方法SJ/T 11487-2015 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法20231113-T-469 半导体晶片直径测试方法20231878-T-339 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第7部分:柔性有机半导体封装薄膜阻挡特性测试方法GB/T 42271-2022 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法20231573-T-339 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第4部分:柔性半导体器件基板上柔性导电薄膜的疲劳评价20240496-T-469 半导体晶片近边缘几何形态评价第2部分:边缘卷曲法(ROA)20240185-T-339 电真空器件及电光源用钨、钼材料电阻率的测试方法20241488-T-339 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第9部分:一晶体管一电阻式(1T1R)电阻存储单元性能测试方法GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法