基础信息

标准号：GB/T 8760-2020发布日期：2020-09-29实施日期：2021-08-01全部代替标准：GB/T 8760-2006标准类别：方法中国标准分类号：H21国际标准分类号：77.040 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门：国家标准委

起草单位

有研光电新材料有限责任公司国合通用测试评价认证股份公司广东先导稀材股份有限公司云南临沧鑫圆锗业股份有限公司中国电子科技集团第四十六研究所雅波拓（福建）新材料有限公司

起草人

赵敬平林泉刘淑凤姚康马英俊王彤涵陈晶晶付萍于洪国惠峰许所成许兴赵素晓韦圣林

相近标准(计划)

20240136-T-469 金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法GB/T 5252-2020 锗单晶位错密度的测试方法GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量阴极荧光显微镜法20231108-T-469 碳化硅单晶片微管密度测试方法SJ/T 11489-2015 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法GB/T 19199-2015 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法