基础信息

标准号：GB/T 24580-2009发布日期：2009-10-30实施日期：2010-06-01标准类别：方法中国标准分类号：H80国际标准分类号：29.045 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门：国家标准委

采标情况

本标准修改采用其他国际标准：SEMI MF 1528-1104。采标中文名称:用二次离子质谱法测量重搀杂N型硅衬底中的硼污染的方法。

起草单位

信息产业部专用材料质量监督检验中心中国电子科技集团公司第四十六研究所

起草人

马农农何友琴丁丽

相近标准(计划)

SJ/T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法20232769-T-469 表面化学分析二次离子质谱用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度GB/T 40109-2021 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法GB/T 20176-2006 表面化学分析二次离子质谱用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度GB/T 32281-2015 太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定二次离子质谱法GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法20240143-T-469 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法GB/T 32495-2016 表面化学分析二次离子质谱硅中砷的深度剖析方法GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法